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第十届半导体物理与器件国际研讨会（ICSPD 2026）
The 10th Int'l Conference on Semiconductor Physics and Devices(ICSPD 2026) 时间：2026年12月4-6日 地点：中国三亚 △. 大会简介 第十届半导体物理与器件国际研讨会（The 10th Int'l Conference on Semiconductor Physics and Devices）将于2026年12月4-6日在中国三亚举办。该会议涵盖化合物半导体，新兴半导体技术，铁磁性/磁性半导体，有机半导体，光电和光伏器件，半导体物理学等所有相关议题。 △. 参会方式 1、全文参会（参会 + 全文发表 + 报告） 投递全文并参会，录用的文章发表在开源期刊上； 一篇文章的注册费含一位作者的参会费用，将安排做10-15分钟的口头报告； 2、摘要参会（参会 + 摘要 + 报告 ） 投递摘要并参会，安排10-15分钟口头报告； 3、听众参会：无报告仅参会 注：如因特殊情况无法到场参会，可提供海报或录制的报告视频。会后我们将发送照片，并办理发票、邀请函、参会证明、会议期刊、会议证等物资的邮寄。 △. 文章出版 注：1. 初版文章必须是PDF或WORD版格式，并统一通过网上投稿系统或组委会邮箱提交。终版文章必须是可编辑的WORD版格式或Latex文件包。 2. 如果您只是参会作报告，不需要发表文章，只需要将摘要提交到投稿系统。 3. 您可点击左上角Template for Manuscripts下载全文投稿模板，按照此模板准备文章。全文篇幅建议15-20页（按照模板格式，带图和参考文献），超过20页需缴纳超页费。摘要投稿需使用英文书写，无格式要求，具备标题、内容、关键词、作者信息即可，篇幅建议控制在1页以内，最长不超过2页。 4. 投稿之后5-7个工作日内您会收到审核结果，如逾期未收到邮件通知，请您尽快联系我们。 5. 可投中文稿件，文章题目、摘要，关键词需要中英双语，正文部分为中文（可联系我们索取模板文档）。参会时口头报告/海报张贴必须做英文的。 △. 大会日程（供参考） 2026年12月4日 - 大会签到（发指南、期刊、参会证、餐券等相关物资） 2026年12月5日 - 特邀演讲嘉宾报告 2026年12月6日 - 作者报告及海报展示 该会议征文涉及领域包括（但不限于）： Wide-Bandgap Semiconductors Low-Dimensional Semiconductor Physics Quantum Semiconductor Physics Semiconductors for Photonics Carrier Dynamics and Transport Mechanisms Next-Generation Transistors Flexible and Wearable Semiconductors Semiconductor Technologies for 5G and Beyond Neuromorphic and Brain-Inspired Devices Advanced Photovoltaics Semiconductor Sensors Compound Semiconductors Semiconductors in Artificial Intelligence Memory Technologies Advances in Semiconductor Manufacturing andLithography Device Design and Fabrication Device Performance and Reliability Emerging Semiconductor Technologies Ferromagnetism / Magnetic Semiconductors High Magnetic Fields / High Pressure inSemiconductor Physics Impurities/Defects in Semiconductors Light Emitting Diodes (LEDs) and Diode Lasers Novel Semiconductor Devices and Applications Organic Semiconductors Semiconductor Materials and Applications Semiconductor Processing Semiconductor Spintronics Semiconductor Detectors Other Related Topics
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